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            原子能信息實驗室將公布兩項MicroLED技術成果

                作者:宏拓新軟件
                發布日期:2024-01-29         
            閱讀:32     
             
             

            1 月 27 日消息,原子能信息實驗室近日發布預告,表示將出席1月31日開幕的2024年美國西部光電博覽會,發表兩篇關于其Micro LED技術進展的論文,介紹如何制造數據速率密度更高的LED矩陣,以及如何減少小尺寸LED的效率損失。

            在《使用CMOS兼容方法與InGaN / GaN微型LED進行并行通信》論文中,原子能信息實驗室將介紹如何直接在200毫米硅基板上制造LED,為生產由專用CMOS電路獨立控制、幾微米級別的LED矩陣鋪平了道路。

            InGaN / GaN微型發光二極管因其堅固耐用、大規?捎眯院瓦_到GHz級帶寬的能力,成為實現高數據速率光通信的有力候選器件。

            LED 陣列使用InGaN / GaN微型發光二極管,可以實現大規模并行傳輸,從而達到高數據速率密度。

            圖片來源:拍信網正版圖庫

            原子能信息實驗室還研發出一種將GaN LED矩陣集成到CMOS ASIC上的專利工藝,通過將微型LED直接粘接在200毫米硅晶片上,并使用氮化鎵基器件作為發射器和快速光電探測器,優化了微型LED的集成度。

            另一項論文名為《在藍寶石、獨立GaN和硅上,InGaN量子阱厚度對其載流擴散長度的影響》。

            該機構表示:“我們通過實驗證明,可以通過減少InGaN量子阱的厚度來減少擴散長度。此外,我們還展示了在大型量子阱中觀察到的與功率相關的、意想不到的擴散行為,這可能有助于我們理解發射器的物理學原理!保▉碓矗篒T之家)

             

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